AL-1通过交替向反应室提供有机金属原料和氧化剂,仅利用表面反应沉积薄膜,实现了高膜厚控制和良好的步骤覆盖率。薄膜的厚度可以控制在原子层的数量级。此外,可以在高宽比的孔内壁上沉积覆盖性好、厚度均匀的薄膜。可同时沉积3片ø4英寸的晶片。
成膜效率高
通过提供几十毫秒量级的脉冲,减少了原材料的损耗,提高了沉积效率。
真空清洁,温度不均匀性小
通过紧贴反应室内壁的内壁加热器,抑制反应室的温度不均匀,可获得清洁的真空。
无针孔成膜
由于多种前驱体在反应室中没有混合,因此可以防止颗粒,形成无针孔的薄膜。